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  • 微納電路反應(yīng)離子蝕系統(tǒng)RIE150 產(chǎn)品型號(hào):RIE150
    微納電路反應(yīng)離子蝕系統(tǒng)
詳細(xì)內(nèi)容

基本參數(shù)

1、刻蝕尺寸:6吋及以下;

2、刻蝕材料:?jiǎn)尉Ч琛⒍嗑Ч琛?/span>SiO2、Si3N4、GaNGaAs等;

3、刻蝕速率:0.01~1μm/min;

4、刻蝕距離調(diào)節(jié):10mm~ 60mm;

5、操作方式:全自動(dòng)控制方式;

6、系統(tǒng)總控:人機(jī)界面及控制程序;

7、電源:220VAC/50Hz,10KW;

8、機(jī)器重量:1000kg;

9、機(jī)器尺寸:  D810mm× W2020mm×H1550mm。

 

電源及刻蝕反應(yīng)室

1、調(diào)頻電源:13.56MHz1.0KW;

2、反應(yīng)室:雙室,上蓋自動(dòng)啟閉,操作方便;

3、反應(yīng)室規(guī)格:Φ300110mm

4、真空度:≤2×10-4 Pa(腔體充分烘烤除氣,去濕后);

5、抽氣時(shí)間:系統(tǒng)充干燥 N2解除真空后短時(shí)暴露,大氣壓~ 5×10-3 Pa 時(shí)間≤ 20min。

 

真空測(cè)量系統(tǒng)及氣體配置

1、真空計(jì):數(shù)顯復(fù)合真空計(jì) 21套,測(cè)量低真空和高真空;

2、供氣:N2O2 、CF4、CHF3SF6以及壓縮空氣,進(jìn)氣壓力 0.40.6Mpa,工藝氣體純度為:99.999

 

冷卻系統(tǒng)

1、配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng);

2、保護(hù)系統(tǒng):對(duì)泵、電極等缺水等異常情況進(jìn)行報(bào)警并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)。

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